氯气处理系统合格的氯气进入氯气缓冲罐
打印本页 发布时间 : 2013-6-19 18:03:27
淄博言赫特气主要经营应用于单晶硅外延片制造的5N(99.999%)电子级(VLSI)氯化氢,以及应用于医药中间体、农药及精细化学品制造的2.8N(99.8%)化学级氯化氢。合成制备氯化氢的工艺流程如下:
来自氯气处理系统合格的氯气进入氯气缓冲罐、液氯送来的尾氯进入尾氯缓冲罐,原氯和尾氯混合后和来自氢气处理系统合格的氢气按1:1.05-1.1的比例进入石墨合成炉R-701A-E在灯头燃烧,生成的HCl气体从石墨合成炉顶部导出并冷却到40℃以下,再进入氯化氢分配台,供PVC生产用或去吸收系统制成盐酸。去吸收系统的HCl气体经1级膜式吸收器T-701A-E、2级膜式吸收器T-702A-E、填料塔T-703A-E自下而上被水吸收生成盐酸,尾气由水力喷射器P-701A-E抽入水封槽V-704A-E后放空,亦可以由填料塔T-703A-E排空口直接排空。纯水由填料塔顶部加入,顺序流经:填料塔T-703A-E、2级膜式吸收器T-702A-E、级膜式吸收器T-701A-E自上而下在各级吸收器中逐渐吸收HCl,在1级膜式吸收器底部出来形成合格的商品盐酸或自备酸,进入盐酸调整罐V-707或盐酸中间罐V-708,再由高纯盐酸泵?P-706打入盐酸储罐V-904A待售或者V-904B供电解用。合成炉内产生的低压蒸汽进入蒸汽分配台V-710和外管高压蒸汽混合后送低压蒸汽用户使用。
我公司的钢瓶装电子级
氯化氢于2003年10月通过北京市科委科技成果鉴定,获得国家授权专利,具有自主知识产权。经国内外多家半导体材料生产企业在单晶硅片气相抛光、外延基座腐蚀和硬质合金镀膜工艺中使用证明,其主要性能技术指标与国外同类产品相当。